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    于是，李飞亲自打电话给台极电专业负责客服工程电话，客气地说道：“你好，我是大深市芯片产业的工程师李飞，关于贵司的邮件告知我司的芯片流片还需要延迟，到底是什么原因？”

    对方态度不友善地说道：“哦，你fm芯片工艺要求是芯片主流可是双极ttl，”

    （注：在it科技公司客服工程师是懂技术的，因为有的是研发工程师转岗客服工程师。）

    李飞压住心中怒气，冷静道：“现在芯片工艺主流是s…，”

    没等李飞把话说完，对方打断了，并轻蔑地说：“你们内地人不懂，芯片是高科技产品，和你说不清，简单地说，你的fm芯片采用cmos工艺，是比较复杂，在芯片制造上工序比较多，所以，芯片流片时间需要延缓…”

    李飞乐呵一笑，在本人面前谈论芯片制造工艺，你还嫩了一点，重生前，本人在英特尔是副总裁，负责英特尔的芯片设计和芯片制造，

    ...

    同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续说下去…，

    但为了fm芯片早点量产，早点让fm芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研发实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了，就命令道：“你不要打断我说话！如我说得没有错的话，cmos工艺流程大概是这样的：

    先是准备n型硅片，用以制造nmos和pmos晶体管。（注：os和nmos工艺基础上发展起来的）

    再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约0.6微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。

    接着，光刻出nmos晶体管的p阱区和pmos晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。

    在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成nmos晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。

    如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nmos晶体管的源、漏区；

    在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造nmos和pmos栅氧化区的的掩蔽层；

    光刻出nmos和pmos晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”


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