第200章:流片成功-《奋斗在九十年代》


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    有了光学掩模板,就能直接制作芯片了。

    制作芯片的流程,与制作光学掩模板的过程差不多,只是更复杂。

    大概要经过三百多道光学显影、化学蚀刻、离子掺杂、清洗烘干等重复步骤。

    在这个过程中,因为德仪公司的0.35微米工艺还不太成熟,造成问题重重。

    最尴尬的是铜互联工艺的应用,海豚科技没有芯片制造设备,当初胡伟武做实验时,只用了一片硅晶圆加一根单晶铜丝这样简单的焊接了一下,发现粘稳了,就代表实验成功。

    可实际应用不是这么简单,硅晶圆上的晶体管非常细微,要远远小于单晶铜线,所以只能把单晶铜丝熔化成靶材,再用离子溅镀技术溅镀到未被光刻胶覆盖的晶体管两端区域。

    在这个过程,实际上已经不是单晶铜而是高纯铜了,必须想办法使溅镀到晶体管两端的高纯铜结晶成单晶铜。

    可以通过瞬间降温的办法得到单晶铜,但是这个度不好把握,必须使用专业的设备,否则失败率太高。

    这就要对离子溅镀机进行改造,使之具有瞬间降温的功能,而且必须是可控的。

    为了解决这个问题,德仪公司组成了一支强大的科研力量进行技术攻关。

    德仪公司高层非常重视,给技术攻关团队下了死命令,他们加班加点的实验,用了一个月的时间终于制作出了一台合用的设备。

    合用的标准就是实验出了将溅镀的单晶铜靶材,完整的溅镀到了晶体管上,并且证明粘接稳了。

    德仪公司本来就技术雄厚,像光刻技术、蚀刻技术,都是全球领先,唯一不能解决的就是芯片发热问题,所以说是不太成熟的0.35微米工艺。

    在解决了铜互联工艺的关键技术之后,其技术等级马上提高了一大截,一举达到了0.18微米的制程工艺水平。

    以0.18微米的制程工艺来制造0.35微米制程工艺水平的芯片,就是张飞吃豆芽,小菜一碟了。

    在后期的封装环节,胡伟武要求用单晶铜线代替金线外部搭线,又令德仪公司的技术员眼前一亮,这个很简单的问题,如果他不说,还真没有人想到。

    但是只要他一说,德仪公司的技术人员就知道可行。

    特别是精简指令集芯片,外部寄存器、缓存等存储芯片特别多,要搭的线也特别多,可以节约大量的成本。

    这个外部搭线的方法,无法申请专利,所以胡伟武这一句提议,实际上为德仪公司节省了大量的资金。
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